Вы используете устаревший браузер.
Чтобы использовать все возможности сайта, загрузите и установите один из этих браузеров:
Google ChromeOperaSafariMozilla FirefoxInternet explorer 8Internet explorer 9
КНИГИ Прайс-лист
Пусто
ЖУРНАЛЫ Прайс-лист

Книги и журналы, просмотренные ранее

    Научно-технический и производственный журнал «Наноинженерия» (С 2016 г. ЖУРНАЛ НЕ ВЫПУСКАЕТСЯ)


    Научно-технический и производственный журнал «Наноинженерия»                                                                                                                                                                  (С 2016 г. ЖУРНАЛ НЕ ВЫПУСКАЕТСЯ)

    Подписные индексы

    • ISSN: 2223-4586
    • Телефон:
    • e-mail:

    Номер: 2014 / 06

    Редакция
    Edition

    О журнале
    About journal

    Требования к оформлению статей (для авторов)
    Call for papers (for authors)


    Наноинженерия в приборостроении
    Nanoingineering in instrument making

    1. Особенности создания кремний-германиевых наноструктур с квантовыми точками для перспективных приборов микро- и оптоэлектроники
      Features of creation silicon-germanium nanostructures with quantum dots for promising micro- and optoelectronics devices

      Войцеховский А.В. | Voytsekovsky A.V. | Кульчицкий Н.А. | Kulchitsky N.A. | Мельников А.А. | Melnikov A.A. | Несмелов С.Н. | Nesmelov S.N. | Коханенко А.П. | Kokhanenko A.P. | Лозовой К.А.Lozovoy K.A.

      Авторы статьи
      Authors

      Войцеховский А.В.
      Voytsekovsky A.V.

      Кульчицкий Н.А.
      Kulchitsky N.A.

      Мельников А.А.
      Melnikov A.A.

      Несмелов С.Н.
      Nesmelov S.N.

      Коханенко А.П.
      Kokhanenko A.P.

      Лозовой К.А.
      Lozovoy K.A.


      Особенности создания кремний-германиевых наноструктур с квантовыми точками для перспективных приборов микро- и оптоэлектроники

      В обзоре рассмотрены особенности технологии создания структур с квантовыми точками на основе системы Ge/Si при помощи молекулярно-лучевой эпитаксии в режиме Странского—Крастанова, субмонослойной молекулярно-лучевой эпитаксии, осаждения из газовой фазы, ионной имплантации. Созданные структуры с квантовыми точками Ge/Si используют для разработки ряда перспективных приборов микро- и оптоэлектроники


      Ключевые слова

      квантовые точки, молекулярно-лучевая эпитаксия, осаждение из паровой фазы, ионная имплантация, кремний, германий

      Features of creation silicon-germanium nanostructures with quantum dots for promising micro- and optoelectronics devices

      Technology features of creation of structures with quantum dots based on a Ge/Si system using molecular beam epitaxy in the Stranski—Krastanov mode, submonolayer molecular beam epitaxy, vapor deposition, and ion implantation are rnnsidered. Designed structures with Ge/Si quantum dots are used for the development of several promising devices of micro- and optoelectronics


      Keywords

      quantum dots, molecular beam epitaxy, vapor deposition, ion implantation, silicon, germanium

    Конструкционные наноструктурированные материалы
    Construction nanostructured materials

    1. Высокочастотные свойства углеродных нанотрубок
      High-frequency properties of carbon nanotubes

      Максименко С.А.Maksimenko S.A.

      Авторы статьи
      Authors

      Максименко С.А.
      Maksimenko S.A.


      Высокочастотные свойства углеродных нанотрубок

      Представлен базовый подход к решению задач электромагнетизма углеродных наноструктур на основе синтеза методов современной физики твердого тела и методов электродинамики неоднородных сред. Проанализированы эффекты взаимодействия электромагнитных волн с углеродными нанотрубками. Рассмотрены физические механизмы возникновения локального максимума проводимости в терагерцовой и дальней инфракрасной областях у композитных материалов с углеродными нанотрубками. Описан эксперимент на образцах с калиброванными по длине нанотрубками, устанавливающий однозначную связь положения пика на частотной оси с длиной нанотрубок. Обсуждена возможность использования предложенного подхода для решения различных задач прикладного наноэлектромагнетизма


      Ключевые слова

      углеродные нанотрубки, наноэлектромагнетизм, композиционные материалы, терагерцовый диапазон

      High-frequency properties of carbon nanotubes

      A basic approach to the solution of electromagnetic problems of carbon nanostructures is presented as a synthesis of present-day methods of condensed matter physics and electrodynamics of nonhomogeneous media. Interaction of electromagnetic waves with with carbon nanotubes is analysed. Physical mechanisms of the local conductivity maximum of composite materials comprising carbon nanotubes in terahertz and far infrared ranges are considered. The experiment with samples containing calibrated in length carbon nanotubes is reported, which proves unique relation between nanotube length and the peak frequency. Utilization of the approach developed for solving of variety of problems of applied nanoelectromagnetics are discussed


      Keywords

      carbon nanotubes, nanoelectromagnetics, composite materials, terahertz range

    2. Термоэлектрические элементы на основе наноструктур
      Thermoelectric elements based on nanostructures

      Останко Д.А. | Ostanko D.A. | Хвесюк В.И.Khvesuk V.I.

      Авторы статьи
      Authors

      Останко Д.А.
      Ostanko D.A.

      Хвесюк В.И.
      Khvesuk V.I.


      Термоэлектрические элементы на основе наноструктур

      Статья посвящена ключевым аспектам разработки термоэлектрических наноматериалов. Пос­тавлена задача разработки принципов и направлений совершенствования материалов. Последователь­но изложены различные концепции термоэлектрических материалов. Показано, что наиболее перспек­тивные направления основаны на глубоком понимании внутренней структуры вещества и взаимодей­ствия частиц внутри него


      Ключевые слова

      термоэлектричество, фонон, наноточка

      Thermoelectric elements based on nanostructures

      The article is devoted to key aspects of development of thermoelectric nanomaterials. The task to formulate the principles and the directions of perfecting of materials is set. Sequentially various concepts of thermoelectric materials are explained. It is shown that the most perspective directions are based on deep comprehension of in­ternal structure of substance and interaction of particles inside it


      Keywords

      thermoelectricity, phonon, nanodot

    Моделирование наноматериалов и наносистем
    Modeling nanomaterials and nanosystems

    1. Моделирование условий первичной гидросферы в процессе происхождения органических форм жизни в горячей минеральной воде
      Modeling of possible conditions for origin of first organic forms in hot mineral water

      Игнатов И. | Ignatov I. | Мосин О.В.Mosin O.V.

      Авторы статьи
      Authors

      Игнатов И.
      Ignatov I.

      Мосин О.В.
      Mosin O.V.


      Моделирование условий первичной гидросферы в процессе происхождения органических форм жизни в горячей минеральной воде

      Обсуждается изотопный состав первичной водной среды, ее температура и показатель pH в экспериментах по моделированию условий первичной гидросферы и происхождения первых органических форм жизни в горячей минеральной воде. Рассмотрен синтез органических молекул аминокислот, протеинов, нуклеиновых кислот и термических микросфер-протеиноидов из неорганических молекул, а также возможные реакции, протекающие в первичной водной гидросфере с показателем pH = 9...10 в условиях повышенных температур. Методом ИК-спектроскопии (ДНЭС-метод) исследованы образцы горячей минеральной, морской и горной воды из различных термальных источников Болгарии. Показано, что щелочная минеральная вода с температурой от 65 до 95 °С и значением показателя pH от 9 до 11 является более подходящей для возникновения органических форм жизни, чем другие исследованные образцы воды. Значение показателя кислотности морской воды ограничено значениями pH от 7,5 до 8,4. Высказано предположение, что в первичной гидросфере мог накапливаться дейтерий в форме HDO


      Ключевые слова

      дейтерий, горячая минеральная вода, гидросфера, эволюция, ИК-спектрометрия

      Modeling of possible conditions for origin of first organic forms in hot mineral water

      In this paper is investigated the isotopic composition of water, its temperature and pH value in experiments with modelling ofprimary hydrosphere and possible conditions for origin offirst organic forms in hot mineral water. Synthesis of the most important organic molecules such as amino acids, proteins, nuckleic acids and thermal proteinoids from inorganic molecules along with possible reactions accompanying their synthesis under conditions of high temperatures and рН = 9... 10 is considered. The research was performed with hot mineral, sea and mountain water from various sources of Bulgaria using IR-spectrometry (DNES-method). It was shown that hot alkaline mineral water with temperature from 65 to 95 °С and pH value from 9 to 11 is more suitable for the origination of life and living matter than other analyzed water samples. The pH value ofseawater on contrary is limited to the range of 7,5 to 8,4. It was proposed an assumption that in primary hydrosphere could be formed deuterium in the form of HDO


      Keywords

      deuterium, hot mineral water, hydrosphere, evolution, origin of life, IR-spectrometry

    Федоров И.Б.

    д.т.н., проф., академик РАН, президент МГТУ им. Н.Э. Баумана

    Нуждина Е.М.

    редактор

    Fedorov I.B.

    dr.en.s., prof., academician RAS, President of MSTU behalf of N.E. Bauman

    Nuzhdina E.M.

    editor

    Редакционный совет
    The editorial board


    Балтян В.К.

    к.т.н., проф., Ассоциация технических университетов, исполнительный директор (г. Москва)

    Беневоленский С.Б.

    д.т.н., проф., МАТИ, зав. кафедрой (г. Москва)

    Вернигоров Ю.М.

    д.т.н., проф., ДГТУ (г. Ростов-на-Дону)

    Громов В.Е.

    д.ф.-м.н., проф., зав. кафедрой естественно-научных дисциплин, СибГИУ, г. Новокузнецк

    Игнатов И.

    д-р ф.н., проф., НИЦ медицинской биофизики, директор (г. София, Болгария)

    Колесников А.Г.

    д.т.н., проф., МГТУ им. Н.Э. Баумана (г. Москва)

    Коноплев Б.Г.

    д.т.н., проф. (г. Таганрог)

    Крылов В.Н.

    к.т.н., ОАО "НПО "Сатурн" (г. Рыбинск)

    Львов Б.Г.

    д.т.н., проф., МИЭМ НИУ ВШЭ, декан (г. Москва)

    Макаренко Е.Д.

    главный редактор ООО "Издательство "Инновационное машиностроение" (г. Москва)

    Нарайкин О.С.

    д.т.н., проф., чл.-корр. РАН, РНЦ "Курчатовский институт", зам. директора (г. Москва)

    Нестеров С.Б.

    д.т.н., проф., НИИ ВТ им. С.А. Векшинского, зам. директора (г. Москва)

    Одиноков В.В.

    д.т.н., проф., НИИ Точного машиностроения, ген. директор (г. Зеленоград)

    Панин А.В.

    д.ф.-м.н., доц., Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, зав. лаб. (г. Томск)

    Панфилов Ю.В.

    главный редактор, д.т.н., профессор, зав. кафедрой "Электронные технологии в машиностроении" МГТУ им. Н.Э. Баумана

    Патрикеев Л.Н.

    к.т.н., проф., МИФИ (г. Москва)

    Серикова Е.А.

    зам. главного редактора, ООО "Издательство "Инновационное машиностроение", Москва

    Слепцов В.В.

    д.т.н., проф., МАТИ, зав. кафедрой (г. Москва)

    Столяров А.А.

    д.т.н., проф., МГТУ им. Н.Э. Баумана, проректор (г. Москва)

    Цветков Ю.Б.

    д.т.н., проф., МГТУ им. Н.Э. Баумана, проректор (г. Москва)

    Чаплыгин Ю.А.

    д.т.н., проф., чл.-корр. РАН, (зам. гл. ред.), МИЭТ, ректор (г. Зеленоград)

    Чернышев В.Н.

    д.т.н., проф., ТГТУ (г. Тамбов)

    Шахнов В.А.

    д.т.н., проф., член-кор. РАН, МГТУ им. Н.Э. Баумана

    Шашурин В.Д.

    д.т.н., проф., МГТУ им. Н.Э. Баумана, зав. кафедрой (г. Москва)

    Baltyan V.K.

    c.en.s., prof.

    Benevolensky S.B.

    d.en.s., prof.

    Vernigorov Yu.M.

    d.en.s., prof.

    Gromov V.E.

    dr.ph-m.s., prof., Head of Department, Siberian State Industrial University, Novokuznetsk

    Ignatov I.

    c.ch.s., prof.

    Kolesnikov A.G.

    dr.en.s., prof., deputy Chairman of the Editorial Board, Bauman Moscow State Technical University, Moscow

    Konoplev B.G.

    d.en.s., prof.

    Krylov V.N.

    c.en.s

    L'vov B.G.

    d.en.s., prof.

    Makarenko E.D.

    Editorial assistant, LLC "Publishing "Innovation Engineering Machine Building", (Moscow)

    Naraykin O.S.

    d.en.s., prof., m.-corr. RAS

    Nesterov S.B.

    d.en.s., prof.

    Odinokov V.V.

    d.en.s., prof.

    Panin A.V.

    d.ph.-m.s.

    Panfilov Yu.V.

    Editor-in-Chief, d.en.s., prof., Head of the Department of "Digital technology in mechanical engineering", Bauman MSTU

    Patrikeev L.N.

    c.en.s.

    Serikova E.A.

    deputy Chief Editor, LLC “Innovative Mashinostroenie Publishers", Moscow

    Sleptsov V.V.

    d.en.s., prof.

    Stolyarov A.A.

    d.en.s., prof.

    Tsvetkov Yu.B.

    d.en.s., prof.

    Chaplygin Yu.A.

    d.en.s., prof., m.-corr. RAS, editorial assistant

    Chernyshov V.N.

    d.en.s., prof.

    Shakhov V.N.

    dr.en.s., prof., corr. member of RAS, MSTU behalf of the N.E. Bauman

    Shashurin V.D.

    d.en.s., prof.

    В научно-техническом журнале «Наноинженерия» публикуются научные статьи, обзоры, материалы научно-технических конференций, информация о выставках и мероприятиях по проблемам нанотехнологии, результаты исследований и достижений нанотехнологии в области приборостроения, машиностроения, энергетики, экологии и т.д. и доведения их до промышленного производства новых видов продукции.

    От других «нанотехнологических» журналов издание отличается освещением научных исследований и разработок в области технологических процессов и оборудования, систем управления, приборов и материалов уже готовых или реально перспективных для серийного и массового производства, а также публикациями по проблемам образования в области нанотехнологии и подготовки кадров для национальной нанотехнологической сети.

    Приглашаем Вас к сотрудничеству по информационному обеспечению разработок и исследований по созданию новых материалов, технологических процессов и оборудования для изготовления приборов и устройств, в состав которых входят наноструктурные элементы, а также проблемам развития научно-образовательной среды в области нанотехнологий и подготовки кадров.

    Основные рубрики журнала «Наноинженерия»

    • Технологические процессы в наноинженерии;
    • Проектирование оборудования в наноинженерии;
    • Системы автоматического управления в наноинженерии;
    • Наноинженерия в приборостроении;
    • Наноинженерия в машинострении;
    • Конструкционные наноструктурированные материалы;
    • Подготовка кадров в наноинженерии;
    • Информационные технологии в наноинженерии;
    • Аналитическое оборудование и метрология в наноинженерии;
    • Моделирование наноматериалов и наносистем;
    • В порядке обсуждения;
    • Информация.

    К сведению авторов журнала «НАНОИНЖЕНЕРИЯ»

     Объем статьи (текст статьи, рисунки, таблицы), предлагаемой к публикации, не должен превышать 12 страниц, напечатанных на белой бумаге (формата А4) на одной стороне листа через два интервала 12 кеглем.

    Все страницы в статье должны быть пронумерованы.

    В редакцию предоставляется статья в электронном виде – файл (с расширением .doc или .pdf) с набором текста (шрифт Times New Roman) или распечатанная рукопись (на белой бумаге (формата А4) на одной стороне листа).

    Электронная версия может быть выслана по e-mail: nanoeng@mashin.ru, nanoeng2011@gmail.com.

    Предоставляя статьи в редакцию для публикации, авторы выражают согласие с тем, что:

         статья можеть быть переведена и опубликована на английском языке;

         статья может быть опубликована в специализированном сборнике;

         после публикации в журнале статья может быть размещена в Интернете;

         авторский гонорар за публикацию статьи не выплачивается.

     Требования к оформлению статьи

     1. Обязательно должны быть представлены сведения об авторах:

    • Ф.И.О.;
    • ученая степень и звание (если есть);
    • место работы;
    • должность;
    • адреса и телефоны (домашний и служебный), факс;
    • E-mail.

    Названия учреждений, в которых выполнялись исследования, необходимо раскрывать полностью, указывать город. 

     2. Обязательно представлять на русском и английском языках:

    • фамилии, имена и отчества авторов, название учреждения, в котором выполнялось исследование;
    • название статьи;
    • аннотацию к статье;
    • ключевые слова.

     3. Начало статьи должно быть оформлено по следующему образцу:

    • УДК (Индекс статьи по Универсальной десятичной классификации http://teacode.com/online/udc/);
    • авторы (с указанием ученой степени);
    • полное название учреждения, в котором выполнялось исследование;
    • город;
    • страна (для иностранных авторов).

       Ссылку на гранты необходимо давать ссылкой, обозначенной звездочкой (*), на первой странице.

     4. Статья должна быть обязательно структурирована:

    • Введение, содержащее реферативное изложение постановки задачи и возможного применения полученных результатов, актуальность рассматриваемой проблемы.
    • Основная часть должна иметь несколько внутренних разделов и содержать формализованную постановку задачи и предлагаемый метод ее решения; отличие предлагаемой постановки задачи от уже известных; преимущество развиваемого метода по сравнению с существующими; содержать пример, подтверждающий работоспособность и эффективность предложенного решения.
    • Заключение, содержащее обсуждение полученных результатов, рекомендации.

     5. Формулы, буквенные обозначения (прописные и строчные, латинского (не готического) и греческого алфавитов), цифры, знаки и их расположение должны быть четкими и различимыми.

    Для набора формул и буквенных обозначений следует использовать программу MathType или редактор формул Equation в офисном редакторе Microsoft Office Word.

     6. После текста должен быть приведен список литературы, используемой при написании статьи.

    Составляется список по порядку ссылок в тексте и оформляется по ГОСТ 7.0.5–2008. Ссылки на иностранную литературу следует писать на языке оригинала без сокращений. Количество литературных источников не должно превышать 5-и наименований. Допускаются ссылки на литературу не ранее 2000 г. выпуска (при необходимости ссылку на более «старый» источник литературы приводят непосредственно в тексте).

     7. Иллюстрации представляются в виде отдельных файлов (с расширением .doc, .tiff, .pdf, .jpeg 600 dpi), размер не должен превышать 186 мм.

    Рисунок должен быть четким и иметь подрисуночную подпись. Подрисуночные подписи следует представлять отдельным списком. Объяснение рисунков и фотографий в тексте и подписи к ним должны соответствовать содержанию рисунков.

    Данные таблиц и рисунков не должны дублировать текст! 

    Все статьи, поступающие в редакцию, проходят рецензирование.

    В случае отклонения статьи редакционным советом журнала редакция оставляет за собой право сообщать автору о решении ред. совета без предоставления рецензии. 

    Материалы, присланные в редакцию, обратно не высылаются. 

    Плата за публикацию статей не взимается. 

     

    П о л о ж е н и е
    о рецензировании рукописей статей, поступающих в редакцию
    журнала «Наноинженерия»

     

    1. В качестве рецензентов рукописей статей, поступающих для публикации в журнале «Наноинженерия» привлекаются известные специалисты в данной предметной области, имеющие в течение последних трех лет публикации в рецензируемых источниках по рассматриваемой тематике, иногда могут быть члены Редсовета.

    2. В рецензии на соответствующую рукопись рецензент обязан определить:

        – профиль статьи в соответствии с рубрикацией журнала;

        – научный уровень и новизну (оригинальность) представляемых для публикации результатов, их практическую значимость;

        – достоинства и недостатки по содержанию и форме изложения материала;

        – конкретные рекомендации по доработке или сокращению материала статьи;

        – возможность (или невозможность) опубликования рецензируемой статьи в журнале .

    3. Рецензия представляется в редакцию журнала в сроки, устанавливаемые аппаратом редакции.

    4. При поступлении в редакцию журнала положительных (или отрицательных) рецензий на рассматриваемую статью с ней знакомится один из членов Редсовета, курирующий рубрику, в которой предполагается публикация данной статьи. Указанный член Редсовета представляет рассматриваемую статью вместе с рецензиями на заседании Редсовета, где принимается решение о ее опубликовании в или отклонении.

    5. Дальнейшая работа с рукописью, принятой к публикации, осуществляется аппаратом редакции в соответствии с технологическим процессом подготовки номера.

    6. Все рецензии на статью, как положительные, так и отрицательные, направляются авторам статьи для ознакомления. Анонимность рецензентов гарантируется редакцией журнала.

    7. Рукописи, подлежащие доработке, направляются аппаратам редакции авторам вместе с текстом рецензии, содержащим конкретные рекомендации по доработке статьи. Авторство рецензии также не раскрывается.

    8. Рукопись статьи, поступившая после доработки, вместе с ответом авторов направляется рецензенту для ознакомления и дополнительного рецензирования. Рецензент должен представить (в оговоренные сроки) в редакцию повторную рецензию, на основе которой Редсовет принимает решение о приеме статьи или ее отклонении.

    9. По рукописям статей, отклоненным на заседании Редсовета, аппарат редакции высылает авторам извещение с формулировкой: «Отклонено по решению Редсовета журнала» с кратким обоснованием, например, «статья не соответствует профилю журнала, не прошла по конкурсу, и т.д.»

    10. Рецензии хранятся в издательстве и в редакции журнала в течение 5 лет.

    11. Редакция журнала направляет копии рецензий в Министерство образования и науки Российской Федерации при поступлении в редакцию журнала соответствующего запроса.

    Идет загрузка
    НАЗАД
    Для перехода на предыдущую страницу используйте эту кнопку